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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1L120GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.4095 +200：￥5.687 +800：￥4.1745 +2500：￥3.025 +5000：￥2.87375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.7mOhm 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1L120GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.43586 +5000：￥4.271569 +12500：￥4.162041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.7mOhm 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RS1L120GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥10.851288 +5000：￥10.449389 +12500：￥10.181456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.7mOhm 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）
RS1L120GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.752927 +10：￥21.296196 +100：￥17.12111 +500：￥14.06662 +1000：￥11.655086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
RS1L120GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.752927 +10：￥21.296196 +100：￥17.12111 +500：￥14.06662 +1000：￥11.655086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1L120GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP 下载数据手册未分类	+1：￥27.285275 +10：￥22.710498 +100：￥18.135723 +250：￥16.665257 +500：￥15.194793	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.7mOhm 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1330 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

RS1L120GNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta），36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12.7mOhm 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.7V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1330 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSOP
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	150°C（TJ）