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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RGT16BM65DTL_晶体管-IGBT
授权代理品牌
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¥5.554093

+5000:

¥5.34531

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 16 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,8A

功率 - 最大值: 94 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 21 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/33ns

测试条件: 400V,8A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RGT16BM65DTL_晶体管-IGBT
授权代理品牌
+2500:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 16 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,8A

功率 - 最大值: 94 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 21 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/33ns

测试条件: 400V,8A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: -40°C # 175°C(TJ)

RGT16BM65DTL_晶体管-IGBT
授权代理品牌
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¥31.088414

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¥27.879288

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¥22.405148

+500:

¥18.408354

+1000:

¥15.252663

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

RGT16BM65DTL_晶体管-IGBT
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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

Mouser
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RGT16BM65DTL_未分类
RGT16BM65DTL
授权代理品牌
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¥31.383143

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¥28.259029

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¥22.720827

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¥18.602677

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 16 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,8A

功率 - 最大值: 94 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 21 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/33ns

测试条件: 400V,8A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: -40°C # 175°C(TJ)

RGT16BM65DTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,8A
功率 - 最大值: 94 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 21 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/33ns
测试条件: 400V,8A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 42 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252
温度: -40°C # 175°C(TJ)