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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RJH60A81RDPD-A0#J2_晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟道

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,5A

功率 - 最大值: 29.4 W

开关能量: 130µJ(开),60µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 11 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/40ns

测试条件: 300V,5A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 100 ns

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

RJH60A81RDPD-A0#J2参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): -
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,5A
功率 - 最大值: 29.4 W
开关能量: 130µJ(开),60µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 11 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/40ns
测试条件: 300V,5A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 100 ns
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252
温度: 150°C(TJ)