搜索 RGW80TK65DGVC11 共 7 条相关记录
自营 现货库存
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | RGW80TK65DGVC11 授权代理品牌 | +1： ￥63.498366 +210： ￥25.340339 +510： ￥24.498939 +990： ￥24.072776 |
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| RGW80TK65DGVC11 授权代理品牌 | +3： ￥95.541984 +10： ￥52.556429 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +1： ￥89.490124 +30： ￥71.434849 +120： ￥63.916535 +510： ￥56.396791 +1020： ￥50.757198 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| RGW80TK65DGVC11 授权代理品牌 | +1： ￥89.612057 +10： ￥81.006021 +25： ￥77.181117 +100： ￥67.072439 +500： ￥58.329799 |
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
RGW80TK65DGVC11 授权代理品牌 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 39A 81000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM | +14： ￥21.670451 | 暂无参数 | ||
RGW80TK65DGVC11 授权代理品牌 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 39A 81000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM | +23： ￥32.714353 +25： ￥31.308372 | 暂无参数 |
RGW80TK65DGVC11参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 39 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 160 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.9V 15V，40A |
| 功率 - 最大值: | 81 W |
| 开关能量: | 760µJ（开），720µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 110 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 44ns/143ns |
| 测试条件: | 400V，40A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 92 ns |
| 工作温度: | -40°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-3PFM，SC-93-3 |
| 供应商器件封装: | TO-3PFM |
| 温度: | -40°C # 175°C（TJ） |