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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E200BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+60：￥4.984243 +100：￥4.437677 +500：￥4.437677 +1000：￥4.421261 +2000：￥4.404672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），25W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E200BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.487373 +5000：￥1.391414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），25W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RS1E200BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.570176 +5000：￥2.404358	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），25W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）
RS1E200BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.290053 +10：￥6.215078 +100：￥4.643393 +500：￥3.647992 +1000：￥2.818903	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
RS1E200BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+70：￥2.380478 +100：￥2.281256 +300：￥2.182033 +500：￥2.082955 +1000：￥1.983732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

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	RS1E200BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP 下载数据手册晶体管	+1：￥8.393784 +10：￥7.71278 +100：￥6.952587 +500：￥6.445793 +1000：￥5.495554	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3100 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），25W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

RS1E200BNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.9 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3100 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），25W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSOP
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	150°C（TJ）