制造商型号： | RS1E200BNTB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
供货： | 国内现货 工作日（1~3工作日） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) RS1E200BNTB
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RS1E200BNTB 中文资料
数据手册PDF
RS1E200BNTB 规格参数
属性
参数值
制造商型号
RS1E200BNTB
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.9mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
59nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 25W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-HSOP
封装/外壳
8-PowerTDFN
品牌其他型号
RS1E200BNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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