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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN4987FE,LF(CT_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+4000:

¥0.649733

+8000:

¥0.583033

+12000:

¥0.549068

+20000:

¥0.510974

+28000:

¥0.488333

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,200MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度:

RN4987FE,LF(CT_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+1:

¥3.518686

+10:

¥2.126511

+100:

¥1.314154

+500:

¥0.961979

+1000:

¥0.847698

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 100mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

RN4987FE,LF(CT_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

晶体管-双极

+1:

¥3.518686

+10:

¥2.126511

+100:

¥1.314154

+500:

¥0.961979

+1000:

¥0.847698

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 100mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN4987FE,LF(CT_晶体管
RN4987FE,LF(CT
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

晶体管

+1:

¥4.371869

+10:

¥3.077795

+100:

¥1.503924

+1000:

¥0.856887

+4000:

¥0.751962

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz,200MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度:

艾睿
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RN4987FE,LF(CT_未分类
RN4987FE,LF(CT
授权代理品牌

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R

未分类

+4000:

¥0.648869

+8000:

¥0.506929

+24000:

¥0.477292

+48000:

¥0.458576

+100000:

¥0.372787

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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RN4987FE,LF(CT_未分类
RN4987FE,LF(CT
授权代理品牌
+25:

¥1.111365

+50:

¥0.834025

+100:

¥0.775952

+200:

¥0.709873

+500:

¥0.706868

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

RN4987FE,LF(CT参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz,200MHz
功率 - 最大值: 100mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: ES6
温度: