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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.521239 +200：￥6.2678 +500：￥5.01424 +1000：￥4.178493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），22.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 下载数据手册	+1：￥6.312355 +200：￥2.450679 +500：￥2.355198 +1000：￥2.312762	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），22.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.347884	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），22.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 下载数据手册	+1：￥8.491968 +100：￥4.908384 +1250：￥3.11184 +2500：￥2.249856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），22.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.207802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），22.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.954602	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），22.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）
RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.3482 +10：￥7.142349 +100：￥5.337548 +500：￥4.193712 +1000：￥3.240428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.3482 +10：￥7.142349 +100：￥5.337548 +500：￥4.193712 +1000：￥3.240428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E130GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP 下载数据手册未分类	+1：￥8.606036 +10：￥7.362942 +100：￥5.505131 +500：￥4.412301 +1000：￥3.415093	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.7 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），22.2W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

RS1E130GNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.7 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	420 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），22.2W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSOP
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	150°C（TJ）