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	RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.288845 +100：￥2.90037 +800：￥2.128995 +3000：￥1.54275 +6000：￥1.465673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.140311 +200：￥0.441286 +500：￥0.425778 +1000：￥0.418115	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册未分类	+5：￥5.09479 +100：￥3.768862 +500：￥2.921779 +1000：￥2.170777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册	+1：￥9.611741 +100：￥5.555638 +1500：￥3.52232 +3000：￥2.546646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.188161	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.906557	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.220623 +10：￥7.030051 +100：￥5.249861 +500：￥4.125336 +1000：￥3.18776	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)
RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.220623 +10：￥7.030051 +100：￥5.249861 +500：￥4.125336 +1000：￥3.18776	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

Mouser

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	RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT 下载数据手册未分类	+1：￥9.559389 +10：￥7.42068 +100：￥5.751837 +500：￥4.812101 +1000：￥3.694139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

RQ3E130BNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）