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	R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥21.186858 +100：￥14.327852 +500：￥10.517199 +1000：￥7.621185 +2000：￥7.240156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 286 毫欧 9A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.625067 +200：￥8.370289 +500：￥8.075253 +1000：￥7.933198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 286 毫欧 9A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册未分类	+1000：￥7.342517	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 286 毫欧 9A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥59.97456 +10：￥32.98441 +50：￥29.689286 +100：￥23.281171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 286 毫欧 9A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥11.871066 +2000：￥11.562727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 286 毫欧 9A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥29.039773 +2000：￥28.285492	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 286 毫欧 9A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.970056 +10：￥49.373876 +100：￥40.448327 +500：￥34.432788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.553828 +10：￥30.291299 +100：￥29.344814	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

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	R6018JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6018JNJ IS A POWER MOSFET FOR S 下载数据手册未分类	+1：￥66.745669 +10：￥56.138166 +25：￥52.87432 +100：￥45.367472 +250：￥42.756395	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 286 毫欧 9A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 4.2mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 220W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	R6018JNJGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R 下载数据手册未分类	+28：￥25.997807 +50：￥25.007844 +100：￥24.159306	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6018JNJGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	286 毫欧 9A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 4.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	42 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1300 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	220W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）