RSH065N06GZETB厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.971289 +200：￥3.584145 +500：￥3.463945 +1000：￥3.398381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.724962 +5000：￥3.547645 +12500：￥3.383873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.436722 +5000：￥6.130319 +12500：￥5.847322	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C
RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.562974 +10：￥12.736738 +100：￥9.903032 +500：￥8.393797 +1000：￥6.837625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.562974 +10：￥12.736738 +100：￥9.903032 +500：￥8.393797 +1000：￥6.837625	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE 下载数据手册晶体管	+1：￥19.628753 +10：￥15.164794 +100：￥12.347119 +500：￥10.669177 +1000：￥8.690473	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 5 V Vgs（最大值）： 20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOP 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： 150°C

RSH065N06GZETB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	37 毫欧 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 5 V
Vgs（最大值）:	20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	900 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOP
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	150°C