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R8005ANJFRGTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1000:

¥19.898031

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 120W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LPTS

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: 150°C(TJ)

R8005ANJFRGTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
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R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥37.685665

+10:

¥33.832094

+25:

¥31.978979

+100:

¥25.58375

+250:

¥24.161895

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: LPTS

R8005ANJFRGTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
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R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: LPTS

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
R8005ANJFRGTL_null
R8005ANJFRGTL
授权代理品牌

R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

+1:

¥45.840315

+10:

¥41.33814

+25:

¥39.018838

+100:

¥33.834517

+500:

¥28.786626

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 120W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LPTS

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: 150°C(TJ)

R8005ANJFRGTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 120W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LPTS
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: 150°C(TJ)