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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCD051N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.25V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta），20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： CPT3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RCD051N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.25V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta），20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： CPT3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
RCD051N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： CPT3
RCD051N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： CPT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCD051N20TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 下载数据手册晶体管	+2500：￥5.439191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.25V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta），20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： CPT3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCD051N20TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R 下载数据手册未分类	+171：￥3.43836	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RCD051N20TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) CPT T/R 下载数据手册未分类	+171：￥4.60469 +250：￥4.419924 +500：￥4.26018 +1000：￥4.120644	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCD051N20TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥4.470399 +10：￥3.921404 +100：￥3.921404	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCD051N20TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 200V, 5A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥4.766871 +10：￥4.167893 +100：￥4.055584 +500：￥4.055584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RCD051N20TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	760 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.25V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	850mW（Ta），20W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	CPT3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）