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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.551378 +200：￥0.220004 +500：￥0.212653 +1000：￥0.20902	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： USV 温度：

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	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥1.322046	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： USV 温度：

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	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册晶体管-双极	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： USV 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.738695 +6000：￥0.638956 +15000：￥0.529866 +30000：￥0.520515 +75000：￥0.467529	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： USV 温度：
	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥4.108587 +10：￥3.357708 +25：￥2.805173 +100：￥1.371419 +250：￥1.349884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 200mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册晶体管-双极	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 200mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册未分类	+3000：￥0.706834 +6000：￥0.655594 +9000：￥0.543618 +30000：￥0.534119 +75000：￥0.479714	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max： 200mW Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition： 200MHz Resistor - Base (R1)： 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms Supplier Device Package： USV
	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册未分类	+1：￥4.173923 +10：￥2.878567 +100：￥1.40762 +500：￥1.173593 +1000：￥0.8155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max： 200mW Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition： 200MHz Resistor - Base (R1)： 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms Supplier Device Package： USV
	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册未分类	+1：￥4.173923 +10：￥2.878567 +100：￥1.40762 +500：￥1.173593 +1000：￥0.8155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type： Surface Mount Transistor Type： 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max： 200mW Current - Collector (Ic) (Max)： 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition： 200MHz Resistor - Base (R1)： 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2)： 47kOhms Supplier Device Package： USV

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RN2705,LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 下载数据手册晶体管	+1：￥4.740003 +10：￥3.268965 +100：￥1.340277 +1000：￥0.931657 +3000：￥0.735519	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 PNP 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200MHz 功率 - 最大值： 200mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装： USV 温度：

RN2705,LF参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	200MHz
功率 - 最大值:	200mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
供应商器件封装:	USV
温度: