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	RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.939014 +10：￥10.998174 +30：￥9.057334 +100：￥8.086914 +500：￥7.439927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册未分类	+1：￥10.607939 +10：￥9.127029 +30：￥8.19227 +100：￥7.247008 +500：￥6.816389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.774994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册未分类	+2500：￥2.581854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）
	RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册未分类	+10：￥16.15011 +100：￥12.597098 +500：￥10.357611 +1000：￥8.171975 +2500：￥7.622857	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册	+1：￥34.746624 +100：￥18.172512 +1000：￥9.922176 +1250：￥6.727248 +2500：￥5.011776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.595979	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.796716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 18A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1293 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C（TJ）
RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.892067 +10：￥21.035623 +100：￥14.267508 +500：￥11.362602 +1000：￥10.426634	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
RS1G180MNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.892067 +10：￥21.035623 +100：￥14.267508 +500：￥11.362602 +1000：￥10.426634	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

RS1G180MNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1293 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），30W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSOP
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	150°C（TJ）