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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT 下载数据手册	+1：￥10.054224 +100：￥5.811408 +1500：￥3.684384 +3000：￥2.663856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.244218 +6000：￥1.180964 +9000：￥1.096626 +30000：￥1.071337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.043686 +6000：￥2.88895 +9000：￥2.682638 +30000：￥2.620773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.001181 +10：￥7.715298 +100：￥5.364989 +500：￥4.189122 +1000：￥3.404875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)
RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.001181 +10：￥7.715298 +100：￥5.364989 +500：￥4.189122 +1000：￥3.404875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT 下载数据手册未分类	+1：￥10.616359 +10：￥8.836077 +100：￥6.141156 +500：￥4.801862 +1000：￥3.903555	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.3 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3E150BNTB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin HSMT EP T/R 下载数据手册未分类	+118：￥2.57974 +200：￥2.567145 +500：￥2.300745 +1000：￥2.216464 +2000：￥2.203871	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RQ3E150BNTB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin HSMT EP T/R 下载数据手册未分类	+205：￥3.859437 +250：￥3.705408 +500：￥3.571723 +1000：￥3.454506 +2500：￥3.352788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RQ3E150BNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.3 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3000 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）