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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RHU003N03FRAT106_晶体管-FET,MOSFET-单个
RHU003N03FRAT106
授权代理品牌

4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥0.740131

+200:

¥0.295319

+500:

¥0.28545

+1000:

¥0.280573

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 300mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 200mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: UMT3

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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RHU003N03FRAT106_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥0.855959

+6000:

¥0.778548

+9000:

¥0.738619

+15000:

¥0.693488

+21000:

¥0.666563

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 300mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 200mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: UMT3

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: 150°C(TJ)

RHU003N03FRAT106_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥3.212713

+10:

¥2.187705

+100:

¥1.46714

+500:

¥1.122309

+1000:

¥1.00665

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

RHU003N03FRAT106_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥3.212713

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¥2.187705

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¥1.122309

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¥1.00665

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: UMT3

Mouser
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RHU003N03FRAT106_未分类
RHU003N03FRAT106
授权代理品牌

4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

未分类

+1:

¥4.644527

+10:

¥3.442415

+100:

¥1.953434

+500:

¥1.297736

+1000:

¥0.997207

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 300mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 200mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: UMT3

封装/外壳: SC-70,SOT-323

温度: 150°C(TJ)

RHU003N03FRAT106参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 200mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: UMT3
封装/外壳: SC-70,SOT-323
温度: 150°C(TJ)