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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD3055LE ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.02632 +10：￥9.35088 +30：￥7.7924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	RFD3055LE ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.818616 +10：￥5.791453 +30：￥5.277871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	RFD3055LE ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.2479	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	RFD3055LE 授权代理品牌	RFD3055LE VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.910081 +20：￥1.844791 +200：￥1.779501	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	RFD3055LE JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	RFD3055LE JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.191428 +80：￥1.170706 +240：￥1.139682 +400：￥1.108657 +24640：￥1.067099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	RFD3055LE ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD3055LE ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 107 毫欧 8A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 11.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD3055LE ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-251-3 系列： RFD3055LE 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 60 V Id-连续漏极电流： 11 A Rds On-漏源导通电阻： 107 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 16 V, + 16 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V Qg-栅极电荷： 11.3 nC Pd-功率耗散： 38 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 39 ns 高度： 6.3 mm 长度： 6.8 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 105 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 22 ns 典型接通延迟时间： 8 ns 宽度： 2.5 mm 零件号别名： RFD3055LE_NL 单位重量： 340 mg 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD3055LE 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+1：￥13.383026 +10：￥10.75984 +100：￥9.155948 +500：￥7.415786 +1000：￥5.968604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD3055LE onsemi(安森美) 授权代理品牌	N-Channel 60 V 0.107 Ohm Through Hole Logic Level Power Mosfet - TO-251AA 下载数据手册未分类	+1：￥5.77029 +100：￥5.517206 +300：￥5.31474 +1000：￥5.162891 +3000：￥4.757958	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RFD3055LE参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	107 毫欧 8A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	11.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I-PAK
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）