RFD14N05LSM厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.487368 +10：￥6.324912 +30：￥5.27076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 60V 16.9A 下载数据手册未分类	+1：￥2.917581 +10：￥2.371218 +30：￥2.141745 +100：￥1.846709 +500：￥1.507963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 16.9A 功率(Pd)： 41.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 73mΩ@10V,6.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 19.8nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)： 860pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)： 40pF@30V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)
	RFD14N05LSM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.681871 +10：￥6.589144 +30：￥5.999071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.55189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RFD14N05LSM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	RFD14N05LSM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+8：￥1.648921 +200：￥1.621486 +500：￥1.580274 +2500：￥1.552722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RFD14N05LSM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	RFD14N05LSM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+8：￥1.648458 +1000：￥1.580159 +2000：￥1.552376 +5000：￥1.442401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RFD14N05LSM UMW(友台半导体) 授权代理品牌	RFD14N05LSM UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥0.895423 +7500：￥0.856412 +12500：￥0.817515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RFD14N05LSM JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	RFD14N05LSM JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.872502 +2500：￥0.836268 +30000：￥0.763569	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.665355 +75：￥4.536198 +150：￥3.595048 +525：￥3.047086 +1050：￥2.482244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RFD14N05LSM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.85896 +75：￥11.096742 +150：￥8.79444 +525：￥7.453979 +1050：￥6.072225	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 14A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 48W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

RFD14N05LSM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 14A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	670 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	48W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）