搜索 RN1901FETE85LF 共 5 条相关记录
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | +1： ￥1.832908 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| 授权代理品牌 | +4000： ￥0.973734 +8000： ￥0.842261 +12000： ￥0.69846 +28000： ￥0.686133 +100000： ￥0.546442 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥5.383667 +10： ￥4.420274 +25： ￥3.700562 +100： ￥1.807779 +250： ￥1.778877 | 系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 100mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 | ||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 100mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| RN1901FETE85LF 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
RN1901FETE85LF参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 4.7 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 4.7 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 30 10mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz |
| 功率 - 最大值: | 100mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | ES6 |
| 温度: |