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	RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.808308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.7787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.324337 +100：￥3.655549 +1500：￥2.317681 +3000：￥1.675662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+307：￥2.692956 +500：￥2.019655 +7000：￥1.642697	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+193：￥1.506735 +1000：￥1.495201 +4000：￥1.48477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.83851 +10：￥3.948998 +100：￥2.695533 +500：￥2.021619 +1000：￥1.644291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册	+1：￥8.281094 +100：￥4.78656 +1500：￥3.034714 +3000：￥2.194042	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.843238 +6000：￥0.79211 +15000：￥0.741039 +30000：￥0.679674 +75000：￥0.654139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.062782 +6000：￥1.937709 +15000：￥1.812779 +30000：￥1.662662 +75000：￥1.600196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
	RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.196419 +10：￥5.872278 +100：￥4.00121 +500：￥3.000332 +1000：￥2.250322	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

RQ3E080BNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15.2 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.324337 +100：￥3.655549 +1500：￥2.317681 +3000：￥1.675662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+307：￥2.692956 +500：￥2.019655 +7000：￥1.642697	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+193：￥1.506735 +1000：￥1.495201 +4000：￥1.48477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.83851 +10：￥3.948998 +100：￥2.695533 +500：￥2.021619 +1000：￥1.644291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.2 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）