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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS8K21TR_射频晶体管
QS8K21TR
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8

射频晶体管

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¥2.696969

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¥2.247575

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¥1.79806

+1000:

¥1.498343

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 45V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 53mOhm 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.4nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 550mW

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C (TJ)

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QS8K21TR_null
QS8K21TR
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MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8

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¥3.339216

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 45V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 53mOhm 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.4nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 550mW

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C (TJ)

自营 国内现货
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QS8K21TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8

射频晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 45V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 53mOhm 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.4nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 550mW

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

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Digi-Key
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射频晶体管

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零件状态: Active

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漏源电压(Vdss): 45V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 53mOhm 4A, 10V

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¥5.676777

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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

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系列: -

安装类型: Surface Mount

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封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

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Mouser
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包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 45V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 53mOhm 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.4nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V

功率 - 最大值: 550mW

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

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QS8K21TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 45V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 53mOhm 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.4nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF 10V
功率 - 最大值: 550mW
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装: TSMT8
温度: 150°C (TJ)