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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+20：￥4.499143 +100：￥3.042545 +800：￥2.233418 +3000：￥1.618375 +6000：￥1.537426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册未分类	+1：￥2.825283 +10：￥2.300137 +30：￥2.079576 +100：￥1.795998 +500：￥1.669963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

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	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.944712	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

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	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册	+1：￥11.076336 +100：￥6.280272 +1500：￥3.981744 +3000：￥2.9664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.154811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.271237	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）
	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.412648 +10：￥11.102423 +100：￥8.659891 +500：￥7.153824 +1000：￥5.647756	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8
	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.412648 +10：￥11.102423 +100：￥8.659891 +500：￥7.153824 +1000：￥5.647756	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册	+1：￥15.004944 +10：￥13.129326 +100：￥10.242506 +500：￥8.644152 +1000：￥6.833773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A，8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 640pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

QH8MA4TCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A，8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	640pF 15V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	TSMT8
温度:	150°C（TJ）