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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M31TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.853785	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta），2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112mOhm 3A，10V，210mOhm 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA，3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 5V，7.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 10V，750pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M31TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ 下载数据手册	+1：￥6.04713 +200：￥2.344589 +500：￥2.259717 +1000：￥2.217281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta），2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112mOhm 3A，10V，210mOhm 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA，3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 5V，7.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 10V，750pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M31TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.598454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta），2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112mOhm 3A，10V，210mOhm 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA，3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 5V，7.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 10V，750pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M31TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.910242	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta），2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112mOhm 3A，10V，210mOhm 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA，3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 5V，7.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 10V，750pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）
	QS8M31TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.775605 +10：￥8.599699 +25：￥8.081167 +100：￥5.865363 +250：￥5.656817	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8
	QS8M31TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS8M31TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ 下载数据手册未分类	+1：￥11.64181 +10：￥10.309314 +100：￥7.910821 +500：￥6.25572 +1000：￥5.007382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta），2A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 112mOhm 3A，10V，210mOhm 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA，3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4nC 5V，7.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 10V，750pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

QS8M31TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta），2A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	112mOhm 3A，10V，210mOhm 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA，3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4nC 5V，7.2nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	270pF 10V，750pF 10V
功率 - 最大值:	1.1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	TSMT8
温度:	150°C（TJ）