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QH8KA1TCR_null
QH8KA1TCR
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30V NCH+NCH POWER MOSFET

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¥1.958112

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: -

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 73mOhm 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 125pf 15V

功率 - 最大值: 2.4W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C (TJ)

自营 国内现货
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QH8KA1TCR_射频晶体管
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30V NCH+NCH POWER MOSFET

射频晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: -

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 73mOhm 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 125pf 15V

功率 - 最大值: 2.4W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

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30V NCH+NCH POWER MOSFET

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品牌: Rohm Semiconductor

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零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

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漏源电压(Vdss): 30V

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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 73mOhm 4.5A, 10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3nC 10V

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系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: -

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 73mOhm 4.5A, 10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3nC 10V

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功率 - 最大值: 2.4W

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QH8KA1TCR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: -
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 73mOhm 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 125pf 15V
功率 - 最大值: 2.4W
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装: TSMT8
温度: 150°C (TJ)