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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
QS8J11TCR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

射频晶体管

+3000:

¥1.14527

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2600pF 6V

功率 - 最大值: 550mW

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C (TJ)

Digi-Key
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QS8J11TCR_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

射频晶体管

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¥1.979023

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2600pF 6V

功率 - 最大值: 550mW

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C (TJ)

QS8J11TCR_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

射频晶体管

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¥6.672253

+10:

¥5.745551

+25:

¥5.362514

+100:

¥3.983582

+250:

¥3.784403

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

QS8J11TCR_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

Mouser
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QS8J11TCR_晶体管
QS8J11TCR
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏源电压(Vdss): 12V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43mOhm 3.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2600pF 6V

功率 - 最大值: 550mW

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C (TJ)

QS8J11TCR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 43mOhm 3.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2600pF 6V
功率 - 最大值: 550mW
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装: TSMT8
温度: 150°C (TJ)