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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | QS8J12TCR 授权代理品牌 | +3000： ￥5.467198 |
QS8J12TCR参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 29 毫欧 4.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 40nC 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4200pF 6V |
| 功率 - 最大值: | 550mW |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装: | TSMT8 |
| 温度: | 150°C（TJ） |