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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+20：￥2.733148 +100：￥1.848275 +800：￥1.356773 +3000：￥0.983125 +6000：￥0.933999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册	+1：￥6.195762 +10：￥5.551053 +30：￥5.201381 +100：￥4.797072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.13444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

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	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+40：￥6.788966 +50：￥6.110208 +100：￥4.851706 +500：￥4.354906 +1000：￥4.139597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.643572 +6000：￥1.557059 +9000：￥1.441766 +30000：￥1.427462	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥4.020612 +6000：￥3.808979 +9000：￥3.526942 +30000：￥3.491952	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）
	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.581669 +10：￥9.17078 +100：￥6.349001 +500：￥5.30438 +1000：￥4.514423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8
	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.581669 +10：￥9.17078 +100：￥6.349001 +500：￥5.30438 +1000：￥4.514423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA3TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 下载数据手册晶体管	+1：￥12.090482 +10：￥10.767063 +100：￥7.335982 +500：￥6.126934 +1000：￥5.211978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A，5.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300pF 15V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8MA3TCR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+191：￥4.043198 +250：￥3.88034 +500：￥3.741016 +1000：￥3.618638 +2500：￥3.511322	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

QH8MA3TCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A，5.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	300pF 15V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	TSMT8
温度:	150°C（TJ）