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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8KA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.484986 +10：￥3.812226 +30：￥3.139466 +100：￥2.803086 +500：￥2.578873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	QH8KA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册	+1：￥12.886128 +100：￥7.306416 +1500：￥4.632336 +3000：￥3.451104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	QH8KA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.381349 +6000：￥2.319495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QH8KA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.82541 +6000：￥5.6741	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	QH8KA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.742513 +10：￥12.26909 +100：￥9.570174 +500：￥7.906054 +1000：￥6.24151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8
	QH8KA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.097493	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8

Mouser

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	QH8KA4TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400pF 10V 功率 - 最大值： 1.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SMD，扁平引线供应商器件封装： TSMT8 温度： -55°C # 150°C（TJ）

QH8KA4TCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	-
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400pF 10V
功率 - 最大值:	1.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
供应商器件封装:	TSMT8
温度:	-55°C # 150°C（TJ）