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QS8M51TR_射频晶体管
QS8M51TR
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

射频晶体管

+1:

¥8.62488

+10:

¥7.1874

+30:

¥5.74992

+100:

¥4.7916

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A,1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 325 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.7nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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QS8M51TR_未分类
QS8M51TR
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

未分类

+1:

¥4.631783

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¥3.802053

+30:

¥3.381937

+100:

¥2.972324

+500:

¥2.720254

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A,1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 325 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.7nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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QS8M51TR_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

射频晶体管

+3000:

¥3.382575

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¥3.294716

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A,1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 325 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.7nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

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QS8M51TR_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

射频晶体管

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¥8.274674

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¥8.059747

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A,1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 325 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.7nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

QS8M51TR_射频晶体管
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射频晶体管

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¥19.467988

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¥17.430339

+100:

¥13.593847

+500:

¥11.229914

+1000:

¥8.865721

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

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射频晶体管

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¥19.467988

+10:

¥17.430339

+100:

¥13.593847

+500:

¥11.229914

+1000:

¥8.865721

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: TSMT8

Mouser
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QS8M51TR
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MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

未分类

+1:

¥20.057577

+10:

¥17.953635

+100:

¥14.026278

+500:

¥11.585705

+1000:

¥9.145133

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A,1.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 325 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.7nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

温度: 150°C(TJ)

QS8M51TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A,1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 325 毫欧 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.7nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TSMT8
温度: 150°C(TJ)