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	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.343888 +50：￥1.95336 +150：￥1.562688 +500：￥1.302192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770pF 6V 功率 - 最大值： 600mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册未分类	+5：￥0.978537 +50：￥0.857681 +150：￥0.805777 +500：￥0.741087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770pF 6V 功率 - 最大值： 600mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

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	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.505966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770pF 6V 功率 - 最大值： 600mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

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	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥1.097678 +9000：￥1.036231 +15000：￥1.009865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770pF 6V 功率 - 最大值： 600mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）
	QS6J11TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	QS6J11TR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.828963 +50：￥0.81463 +500：￥0.786066 +5000：￥0.76467 +30000：￥0.714605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册	+1：￥8.325216 +100：￥4.72032 +1500：￥2.992752 +3000：￥2.229552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770pF 6V 功率 - 最大值： 600mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.650184 +6000：￥1.563362 +9000：￥1.447552 +30000：￥1.433203	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770pF 6V 功率 - 最大值： 600mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.851511 +6000：￥2.701484 +9000：￥2.501365 +30000：￥2.47657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 770pF 6V 功率 - 最大值： 600mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6（SC-95）温度： 150°C（TJ）
	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.476431 +10：￥6.504496 +100：￥4.502058 +500：￥3.761892 +1000：￥3.201658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
	QS6J11TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.476431 +10：￥6.504496 +100：￥4.502058 +500：￥3.761892 +1000：￥3.201658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

QS6J11TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	770pF 6V
功率 - 最大值:	600mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
温度:	150°C（TJ）