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QTLP610CPDTR_null
QTLP610CPDTR
ON(安森美)
授权代理品牌

SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW SMD
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￥3.904112

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￥1.517087

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￥1.464042

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￥1.432215

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 µA

电流 - 暗 (Id)（最大值）： 100 nA

波长： 860nm

视角： 160°

功率 - 最大值： 75 mW

安装类型： 表面贴装型

方向： 侧视图

工作温度： -25°C # 85°C（TA）

封装/外壳： 2-SMD，无引线

温度： -25°C # 85°C（TA）

自营 国内现货
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QTLP610CPDTR_光电晶体管
QTLP610CPDTR
ON(安森美)
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SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW SMD

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光电晶体管
+2000：

￥2.461271

+6000：

￥2.405711

+10000：

￥2.350223

+50000：

￥2.313184

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 µA

电流 - 暗 (Id)（最大值）： 100 nA

波长： 860nm

视角： 160°

功率 - 最大值： 75 mW

安装类型： 表面贴装型

方向： 侧视图

工作温度： -25°C # 85°C（TA）

封装/外壳： 2-SMD，无引线

温度： -25°C # 85°C（TA）

Digi-Key
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QTLP610CPDTR_光电晶体管
QTLP610CPDTR
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SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW SMD

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光电晶体管
+2000：

￥5.189017

+6000：

￥5.071888

+10000：

￥4.95488

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 µA

电流 - 暗 (Id)（最大值）： 100 nA

波长： 860nm

视角： 160°

功率 - 最大值： 75 mW

安装类型： 表面贴装型

方向： 侧视图

工作温度： -25°C # 85°C（TA）

封装/外壳： 2-SMD，无引线

温度： -25°C # 85°C（TA）

QTLP610CPDTR_光电晶体管
QTLP610CPDTR
ON(安森美)
授权代理品牌

SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW SMD

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光电晶体管
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￥15.451291

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￥9.756744

+100：

￥7.217249

+500：

￥6.632592

+1000：

￥5.462032

库存： 0

货期：7~10 天

包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 2-SMD, No Lead

QTLP610CPDTR_光电晶体管
QTLP610CPDTR
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光电晶体管
+1：

￥15.451291

+10：

￥9.756744

+100：

￥7.217249

+500：

￥6.632592

+1000：

￥5.462032

库存： 0

货期：7~10 天

包装： Digi-Reel® Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 2-SMD, No Lead

Mouser
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QTLP610CPDTR_光电晶体管
QTLP610CPDTR
ON(安森美)
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光电晶体管
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￥14.575427

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￥10.551342

+100：

￥8.634356

+500：

￥7.9848

+1000：

￥6.669842

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： QTLP610CPD

产品种类： 光电晶体管

产品： Phototransistors

开启状态集电极最大电流： 0.5 mA

集电极—发射极最大电压 VCEO： 30 V

集电极—射极击穿电压： 30 V

集电极—射极饱和电压： 0.4 V

暗电流： 100 nA

上升时间： 15 us

下降时间： 15 us

Pd-功率耗散： 75 mW

商标： onsemi / Fairchild

湿度敏感性： Yes

产品类型： Phototransistors

波长： 860 nm

单位重量： 135 mg

温度： - 25 C~+ 85 C

艾睿
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QTLP610CPDTR_未分类
QTLP610CPDTR
ON Semiconductor
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No Phototransistor IR Chip Silicon 860nm 2-Pin SMD T/R

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未分类
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￥12.404956

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￥9.491455

+100：

￥7.78518

+500：

￥7.156219

+1000：

￥6.351402

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

QTLP610CPDTR参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 µA
电流 - 暗 (Id)（最大值）: 100 nA
波长: 860nm
视角: 160°
功率 - 最大值: 75 mW
安装类型: 表面贴装型
方向: 侧视图
工作温度: -25°C # 85°C（TA）
封装/外壳: 2-SMD，无引线
温度: -25°C # 85°C（TA）