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QS6K1TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

射频晶体管

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¥0.923719

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 238mOhm 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 77pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6 (SC-95)

温度: 150°C (TJ)

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QS6K1TR_未分类
QS6K1TR
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MOS场效应管 QS6K1TR SOT-457T

未分类

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QS6K1TR_未分类
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MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

未分类

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库存: 1000 +

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 238mOhm 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 77pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6 (SC-95)

温度: 150°C (TJ)

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QS6K1TR_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

射频晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

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系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 238mOhm 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC 4.5V

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安装类型: Surface Mount

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QS6K1TR_null
QS6K1TR
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MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

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¥6.757488

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¥2.476368

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¥1.790352

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 238mOhm 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 77pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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自营 国内现货
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MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

射频晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 238mOhm 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 77pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6 (SC-95)

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Digi-Key
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射频晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

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FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 238mOhm 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 77pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

工作温度: 150°C (TJ)

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封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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QS6K1TR_射频晶体管
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射频晶体管

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¥9.429808

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¥8.115351

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¥5.616452

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¥4.693473

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系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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QS6K1TR_射频晶体管
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射频晶体管

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¥9.429808

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¥8.115351

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工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Mouser
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晶体管

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¥10.616359

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¥8.231763

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¥6.288151

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¥5.357179

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 238mOhm 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 77pF 10V

功率 - 最大值: 1.25W

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QS6K1TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 238mOhm 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 77pF 10V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装: TSMT6 (SC-95)
温度: 150°C (TJ)