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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.923719 +10：￥0.852674 +30：￥0.838463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 238mOhm 1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 77pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95) 温度： 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOS场效应管 QS6K1TR SOT-457T 下载数据手册未分类	+500：￥1.830367 +1000：￥1.368994 +1500：￥1.061291 +3000：￥0.769076 +6000：￥0.730598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册未分类	+5：￥0.96007 +50：￥0.842383 +150：￥0.791899 +500：￥0.650282 +3000：￥0.622308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 238mOhm 1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 77pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95) 温度： 150°C (TJ)

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	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.035648	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 238mOhm 1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 77pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95) 温度： 150°C (TJ)

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	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册	+1：￥6.757488 +100：￥3.905856 +1500：￥2.476368 +3000：￥1.790352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 238mOhm 1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 77pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95) 温度： 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.454244 +6000：￥1.377733 +9000：￥1.27564 +30000：￥1.263024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 238mOhm 1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 77pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95) 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.557467 +6000：￥3.370301 +9000：￥3.120553 +30000：￥3.089693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 238mOhm 1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 77pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95) 温度： 150°C (TJ)
	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.429808 +10：￥8.115351 +100：￥5.616452 +500：￥4.693473 +1000：￥3.994383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.429808 +10：￥8.115351 +100：￥5.616452 +500：￥4.693473 +1000：￥3.994383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	QS6K1TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 下载数据手册晶体管	+1：￥10.616359 +10：￥8.231763 +100：￥6.288151 +500：￥5.357179 +1000：￥4.55687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 238mOhm 1A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 77pF 10V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95) 温度： 150°C (TJ)

QS6K1TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	238mOhm 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	77pF 10V
功率 - 最大值:	1.25W
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装:	TSMT6 (SC-95)
温度:	150°C (TJ)