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自营 现货库存
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NVTFS4C06NWFTAG_未分类
NVTFS4C06NWFTAG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

未分类

+1:

¥6.952926

+200:

¥2.699248

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¥2.604722

+1000:

¥2.552207

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1683 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),37W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVTFS4C06NWFTAG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥5.041333

+3000:

¥4.693645

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1683 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),37W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NVTFS4C06NWFTAG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1683 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),37W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVTFS4C06NWFTAG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥25.242748

+10:

¥21.005026

+100:

¥16.716819

+500:

¥14.144812

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-WDFN (3.3x3.3)

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¥14.144812

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-WDFN (3.3x3.3)

Mouser
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NVTFS4C06NWFTAG_未分类
NVTFS4C06NWFTAG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 1500

艾睿
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NVTFS4C06NWFTAG_未分类
NVTFS4C06NWFTAG
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R

未分类

+1500:

¥9.537135

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVTFS4C06NWFTAG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1683 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),37W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)