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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.722993 +10：￥3.148662 +30：￥2.623885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.349885 +59：￥3.162335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.95807 +6000：￥0.909371 +9000：￥0.844421 +30000：￥0.824906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.343694 +6000：￥2.224564 +9000：￥2.065677 +30000：￥2.017938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 915mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.82 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 110 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-89-3 封装/外壳： SC-89，SOT-490 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NVE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.982487 +10：￥5.94224 +100：￥4.131067 +500：￥3.225625 +1000：￥2.621711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： SC-89
NVE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.982487 +10：￥5.94224 +100：￥4.131067 +500：￥3.225625 +1000：￥2.621711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-89, SOT-490 供应商器件封装： SC-89

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVE4153NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.981998 +10：￥6.597365 +100：￥4.72404 +500：￥3.697783 +1000：￥2.997321	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVE4153NT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A Automotive 3-Pin SC-89 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥1.946117 +6000：￥1.886793 +9000：￥1.818439 +24000：￥1.804253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVE4153NT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, N沟道, MOSFET, 26V, SC-89-3 下载数据手册未分类	+5：￥4.09329 +100：￥2.850918 +500：￥2.223194 +1000：￥1.804711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVE4153NT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	N CHANNEL MOSFET, 26V, SC-89-3 下载数据手册未分类	+5：￥4.875969 +10：￥3.980627 +100：￥2.891702 +500：￥1.839079 +3000：￥1.560792	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVE4153NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	915mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	230 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.82 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	110 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-89-3
封装/外壳:	SC-89，SOT-490
温度:	-55°C # 150°C（TJ）