品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 125 800mA，1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 550mV 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 110 MHz

功率 - 最大值： 720 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 125 800mA，1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 550mV 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 110 MHz

功率 - 最大值： 720 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

温度：

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

电阻器 - 基极 (R1)： 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 125 800mA，1V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 550mV 300mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 110 MHz

功率 - 最大值： 720 mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223（TO-261）

温度：

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： *

系列： NSB9435

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

商标： onsemi

湿度敏感性： Yes

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

资格： AEC-Q101

单位重量： 110 mg

温度： ~