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NTR4003NT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR4003NT3G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.968

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￥0.6776

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￥0.605

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￥0.5566

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.15 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 690mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4003NT3G_未分类
NTR4003NT3G
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23

未分类
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￥1.053717

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￥0.849923

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￥0.748081

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￥0.671699

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￥0.610507

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.15 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 690mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4003NT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR4003NT3G
ON(安森美)
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.15 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 690mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4003NT3G
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NTR4003NT3G VBSEMI/微碧半导体

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未分类
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￥0.366736

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￥0.35759

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NTR4003NT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR4003NT3G
ON(安森美)
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￥0.601734

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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.15 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 690mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4003NT3G
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NTR4003NT3G UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体

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NTR4003NT3G
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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

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零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.15 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 690mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR4003NT3G
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

NTR4003NT3G JSMICRO/深圳杰盛微

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￥0.306192

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￥0.300867

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￥0.29288

+15000：

￥0.284891

+87000：

￥0.274241

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NTR4003NT3G
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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.15 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 690mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTR4003NT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR4003NT3G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥0.299441

+30000：

￥0.293831

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￥0.243271

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 10mA，4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.15 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 690mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTR4003NT3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.5 欧姆 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.15 nC 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 21 pF 5 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 690mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）