品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 427 pF 15 V

FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）： 710mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）

封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 427 pF 15 V

FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）： 710mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）

封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 427 pF 15 V

FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）： 710mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-WDFN（2x2）

封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： WDFN-6

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 3.7 A

Rds On-漏源导通电阻： 70 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 400 mV

Qg-栅极电荷： 6.5 nC

Pd-功率耗散： 1.5 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 9.2 ns

正向跨导 - 最小值： 4.5 S

高度： 0.75 mm

长度： 2 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 9.2 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： Power MOSFET and Schottky Diode

典型关闭延迟时间： 14.2 ns

典型接通延迟时间： 4.8 ns

宽度： 2 mm

单位重量： 28.840 mg

温度： - 55 C~+ 150 C