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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.172759 +10：￥4.78192 +30：￥3.984893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.808308 +10：￥2.742745 +30：￥2.699036	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册未分类	+500：￥1.649701 +1000：￥1.269731 +3000：￥1.069748 +9000：￥0.979811 +24000：￥0.909761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NVTR01P02LT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NVTR01P02LT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.256752 +100：￥0.252431 +1000：￥0.246106 +3000：￥0.231036 +10000：￥0.22682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NVTR01P02LT1G 授权代理品牌	NVTR01P02LT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.24449 +100：￥0.238355 +200：￥0.23222 +300：￥0.2262 +400：￥0.220064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2999：￥0.60428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -
NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.625118 +6000：￥0.609489 +9000：￥0.599071 +12000：￥0.593862	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.601581 +6000：￥0.588155 +9000：￥0.520965 +30000：￥0.514194 +75000：￥0.436935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.471627 +6000：￥1.438782 +9000：￥1.274418 +30000：￥1.257854 +75000：￥1.068859	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -

NVTR01P02LT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	220 毫欧 750mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.1 nC 4 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	225 pF 5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400mW（Ta）
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册未分类	+500：￥1.649701 +1000：￥1.269731 +3000：￥1.069748 +9000：￥0.979811 +24000：￥0.909761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NVTR01P02LT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NVTR01P02LT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.256752 +100：￥0.252431 +1000：￥0.246106 +3000：￥0.231036 +10000：￥0.22682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NVTR01P02LT1G 授权代理品牌	NVTR01P02LT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.24449 +100：￥0.238355 +200：￥0.23222 +300：￥0.2262 +400：￥0.220064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2999：￥0.60428	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -
NVTR01P02LT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.625118 +6000：￥0.609489 +9000：￥0.599071 +12000：￥0.593862	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.1 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -