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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTR1P02LT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR1P02LT3G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥1.323256

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￥1.124816

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￥0.926255

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￥0.827035

+2500：

￥0.760848

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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NTR1P02LT3G_未分类
NTR1P02LT3G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3

未分类
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￥0.78742

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￥0.425398

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￥0.356885

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR1P02LT3G
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

NTR1P02LT3G VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
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￥0.248215

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￥0.243894

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￥0.235356

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￥0.228927

+30000：

￥0.21396

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
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NTR1P02LT3G
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3

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未分类
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￥3.439381

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￥2.14234

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￥1.459144

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￥1.127981

+2000：

￥1.013307

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 220mOhm @ 750mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.25V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 5.5 nC @ 4 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 225 pF @ 5 V

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NTR1P02LT3G
授权代理品牌

NTR1P02LT3G VBSEMI/微碧半导体

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￥0.1836

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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NTR1P02LT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR1P02LT3G
ON(安森美)
授权代理品牌
+10000：

￥0.520931

+20000：

￥0.491759

+40000：

￥0.483424

+80000：

￥0.475089

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTR1P02LT3G
华轩阳电子(华轩阳电子)
授权代理品牌

NTR1P02LT3G HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

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+3000：

￥0.285471

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￥0.28084

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￥0.273663

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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NTR1P02LT3G_未分类
NTR1P02LT3G
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

NTR1P02LT3G JSMICRO/深圳杰盛微

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+3000：

￥0.322978

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￥0.317652

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￥0.309665

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
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NTR1P02LT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR1P02LT3G
ON(安森美)
授权代理品牌
+10000：

￥0.44232

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NTR1P02LT3G_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTR1P02LT3G
ON(安森美)
授权代理品牌
+10000：

￥1.076259

+20000：

￥1.054535

+30000：

￥1.005885

+50000：

￥0.973759

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTR1P02LT3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 220 毫欧 750mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.5 nC 4 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 225 pF 5 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 400mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）