品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 220mOhm @ 750mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.25V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 5.5 nC @ 4 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 225 pF @ 5 V

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 750mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.5 nC 4 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 220mOhm @ 750mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 400mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.25V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3 (TO-236)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 5.5 nC @ 4 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 225 pF @ 5 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： NTR1P02L

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 1.3 A

Rds On-漏源导通电阻： 135 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.25 V

Qg-栅极电荷： 5.5 nC

Pd-功率耗散： 400 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 20 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 15 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

单位重量： 8 mg

温度： - 55 C~+ 150 C