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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.744679 +10：￥8.954 +30：￥7.1632 +100：￥5.969293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥6.479871 +10：￥5.48549 +30：￥4.950053 +100：￥4.338126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.620904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.411424	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.95A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 5.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 4.5 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.024901 +10：￥13.991374 +100：￥10.878913 +500：￥9.221305 +1000：￥7.511696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.024901 +10：￥13.991374 +100：￥10.878913 +500：￥9.221305 +1000：￥7.511696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMS5P02R2G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥14.339729 +10：￥12.730883 +100：￥11.069571 +500：￥10.265148 +1000：￥8.481425	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOIC-8 系列： NTMS5P02 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 20 V Id-连续漏极电流： 5.4 A Rds On-漏源导通电阻： 33 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 10 V, + 10 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.25 V Qg-栅极电荷： 35 nC Pd-功率耗散： 1.47 W 通道模式： Enhancement 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 配置： Single 产品类型： MOSFET 单位重量： 74 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMS5P02R2G ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 7.05A Automotive 8-Pin SOIC N T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥6.381052 +10000：￥6.359215 +25000：￥6.273426	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMS5P02R2G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.95A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	33 毫欧 5.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）