NVD5117PLT4G-VF01厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥16.846668 +10：￥14.588542 +30：￥13.170649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥52.32465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.547266 +10：￥11.0236 +30：￥9.679134 +100：￥9.410334 +300：￥9.231134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥18.05895 +2500：￥17.757968 +5000：￥17.456985 +10000：￥17.156003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥19.773792 +5000：￥19.030432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.907084 +10：￥36.42605 +100：￥28.992445 +500：￥24.531363 +1000：￥20.814559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.907084 +10：￥36.42605 +100：￥28.992445 +500：￥24.531363 +1000：￥20.814559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥47.592904 +10：￥39.467286 +100：￥31.507497 +250：￥31.175839 +500：￥26.53263	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： DPAK-3 系列：产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 60 V Id-连续漏极电流： 61 A Rds On-漏源导通电阻： 16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V Qg-栅极电荷： 85 nC Pd-功率耗散： 118 W 通道模式： Enhancement 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 配置： Single 下降时间： 132 ns 正向跨导 - 最小值： 30 S 产品类型： MOSFET 上升时间： 195 ns 典型关闭延迟时间： 50 ns 典型接通延迟时间： 22 ns 单位重量： 360 mg 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥17.870606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVD5117PLT4G-VF01参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Ta），61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	85 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	4.1W（Ta），118W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥52.32465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.547266 +10：￥11.0236 +30：￥9.679134 +100：￥9.410334 +300：￥9.231134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVD5117PLT4G-VF01 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥18.05895 +2500：￥17.757968 +5000：￥17.456985 +10000：￥17.156003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 29A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 85 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），118W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）