品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 260mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 2A，2V

功率 - 最大值： 875 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 3-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装： 3-WDFN（2x2）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 3-WDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 260mV @ 400mA, 4A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 180 @ 2A, 2V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： 3-WDFN (2x2)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 40 V

Power - Max： 875 mW

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 3-WDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 260mV @ 400mA, 4A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 180 @ 2A, 2V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： 3-WDFN (2x2)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 40 V

Power - Max： 875 mW

Packaging： Bulk

Package / Case： 3-WDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 260mV @ 400mA, 4A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 180 @ 2A, 2V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： 3-WDFN (2x2)

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 40 V

Power - Max： 875 mW

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： WDFN3

系列： NSS40500UW3

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 40 V

集电极—基极电压 VCBO： - 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 7 V

集电极—射极饱和电压： - 310 mV

最大直流电集电极电流： - 5 A

Pd-功率耗散： 1.5 W

增益带宽产品fT： 100 MHz

商标： onsemi

集电极连续电流： - 5 A

直流集电极/Base Gain hfe Min： 250

高度： 0.75 mm

长度： 2 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

宽度： 2 mm

单位重量： 9.630 mg

温度： - 55 C~+ 150 C