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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV60100DMTWTBG_null
NSV60100DMTWTBG
授权代理品牌

DUAL TRANSISTOR PNP

+1:

¥2.015073

+200:

¥0.779868

+500:

¥0.75239

+1000:

¥0.738917

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA, 2V

功率 - 最大值: 2.27W

频率 - 跃迁: 155MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSV60100DMTWTBG_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥6.225132

+200:

¥2.410794

+500:

¥2.328232

+1000:

¥2.295208

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 NPN (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100mA, 2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA, 2V

功率 - 最大值: 2.27W

频率 - 跃迁: 155MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

NSV60100DMTWTBG_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥6.225132

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¥2.410794

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¥2.328232

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

NSV60100DMTWTBG_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥2.410794

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¥2.328232

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¥2.295208

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

Mouser
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NSV60100DMTWTBG_晶体管
NSV60100DMTWTBG
授权代理品牌

DUAL TRANSISTOR PNP

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: *

系列: NSS60100DMT

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

晶体管极性: PNP

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

技术: Si

单位重量: 8.690 mg

温度: ~

NSV60100DMTWTBG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 NPN (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA, 2V
功率 - 最大值: 2.27W
频率 - 跃迁: 155MHz
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)
温度: -55°C # 150°C (TJ)