NVTFS014P04M8LTAG厂家价格_数据手册

搜索 NVTFS014P04M8LTAG 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS014P04M8LTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MV8 P INITIAL PROGRAM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.445399 +10：￥8.96368 +30：￥7.469693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.3A（Ta），49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 420µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1734 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS014P04M8LTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MV8 P INITIAL PROGRAM 下载数据手册未分类	+1：￥4.611308 +10：￥4.512963 +30：￥4.436472 +100：￥4.370908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.3A（Ta），49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 420µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1734 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS014P04M8LTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MV8 P INITIAL PROGRAM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.783378 +3000：￥2.620271 +7500：￥2.495505 +10500：￥2.380292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.3A（Ta），49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 420µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1734 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVTFS014P04M8LTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MV8 P INITIAL PROGRAM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥6.808878 +3000：￥6.409876 +7500：￥6.104666 +10500：￥5.822826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.3A（Ta），49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.8 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 420µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1734 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVTFS014P04M8LTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MV8 P INITIAL PROGRAM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.477183 +10：￥12.675813 +100：￥9.860514 +500：￥8.358608	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)
NVTFS014P04M8LTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MV8 P INITIAL PROGRAM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.477183 +10：￥12.675813 +100：￥9.860514 +500：￥8.358608	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS014P04M8LTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MV8 P INITIAL PROGRAM 下载数据手册未分类	+1：￥17.3126 +10：￥13.535305 +100：￥10.999621 +500：￥9.443235 +1000：￥7.677001	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS014P04M8LTAG ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 40V 11.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥6.526111 +3000：￥6.128367 +9000：￥5.850728 +24000：￥5.83669	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS014P04M8LTAG onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1500：￥4.14962 +3000：￥3.896715 +9000：￥3.720179 +24000：￥3.711252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS014P04M8LTAG onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH, 40V, 49A, 175DEG C, 61W 下载数据手册未分类	+5：￥10.3407 +10：￥8.092172 +100：￥6.580447 +500：￥5.132241 +1500：￥4.115956	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVTFS014P04M8LTAG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.3A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.8 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 420µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1734 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），61W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）