品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 10mA，250mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 250mA，1V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 10mA，250mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 250mA，1V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 350mV @ 10mA, 250mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 50 @ 250mA, 1V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： SOT-223-4

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1.2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 80 V

Power - Max： 1 W