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NVF6P02T3G
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MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

未分类

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¥4.579269

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¥1.774992

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¥1.711974

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¥1.680466

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 8.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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NVF6P02T3G
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

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国内:1~2 天

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NVF6P02T3G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 8.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 8.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223(TO-261)

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥16.887709

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¥13.165895

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¥10.875852

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¥9.106611

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223 (TO-261)

NVF6P02T3G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223 (TO-261)

Mouser
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NVF6P02T3G
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MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

未分类

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¥18.886688

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¥17.040621

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¥13.206481

+500:

¥10.905997

+1000:

¥8.719117

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 4000

NVF6P02T3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1200 pF 16 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 8.3W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223(TO-261)
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)