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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NSBA123TF3T5G_null
NSBA123TF3T5G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

+1:

¥0.430205

+200:

¥0.166484

+500:

¥0.160634

+1000:

¥0.157742

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 254 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-1123

供应商器件封装: SOT-1123

温度:

Digi-Key
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NSBA123TF3T5G_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

双极晶体管

+8000:

¥1.275079

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 254 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-1123

供应商器件封装: SOT-1123

温度:

Mouser
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NSBA123TF3T5G_晶体管
NSBA123TF3T5G
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: *

系列: NSBA123TF3

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

商标: onsemi

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

温度: ~

NSBA123TF3T5G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 254 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-1123
供应商器件封装: SOT-1123
温度: