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搜索 NST65010MW6T1G 共 15 条相关记录
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NST65010MW6T1G_双极晶体管预偏置
NST65010MW6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥1.698356

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￥1.415337

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￥1.132318

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￥0.943558

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 PNP（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 650mV 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 220 2mA，5V

功率 - 最大值： 380mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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NST65010MW6T1G_未分类
NST65010MW6T1G
ON(安森美)
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TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88

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￥5.766098

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￥2.23712

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￥2.153097

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￥2.121588

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 PNP（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 650mV 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 220 2mA，5V

功率 - 最大值： 380mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NST65010MW6T1G_未分类
NST65010MW6T1G
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TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88

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￥2.099051

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￥1.066732

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
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NST65010MW6T1G_双极晶体管预偏置
NST65010MW6T1G
ON(安森美)
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￥0.488553

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￥0.389804

+21000：

￥0.37367

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 PNP（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 650mV 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 220 2mA，5V

功率 - 最大值： 380mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NST65010MW6T1G_双极晶体管预偏置
NST65010MW6T1G
ON(安森美)
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￥1.19513

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￥1.079319

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￥1.020114

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￥0.953565

+21000：

￥0.914094

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 2 PNP（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 650mV 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 15nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 220 2mA，5V

功率 - 最大值： 380mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NST65010MW6T1G_双极晶体管预偏置
NST65010MW6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥5.660496

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￥3.442192

+100：

￥2.160167

+500：

￥1.604522

+1000：

￥1.424609

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装： SC-88 (SOT-363)

NST65010MW6T1G_双极晶体管预偏置
NST65010MW6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥5.660496

+10：

￥3.442192

+100：

￥2.160167

+500：

￥1.604522

+1000：

￥1.424609

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装： SC-88 (SOT-363)

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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NST65010MW6T1G
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88

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未分类
+1：

￥6.13567

+10：

￥3.731152

+100：

￥1.674874

+1000：

￥1.492461

+3000：

￥1.160803

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-363-6

系列：

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： PNP

配置： Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 65 V

集电极—基极电压 VCBO： - 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 300 mV

最大直流电集电极电流： - 100 mA

Pd-功率耗散： 380 mW

增益带宽产品fT： 100 MHz

商标： onsemi

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 7.500 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NST65010MW6T1G_未分类
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

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未分类
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￥5.726767

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￥3.482493

+25：

￥3.446894

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￥2.185459

+250：

￥1.136068

库存： 0

货期：7~10 天

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NST65010MW6T1G
onsemi(安森美)
授权代理品牌
+10：

￥2.138088

+25：

￥2.116233

+100：

￥1.34177

+250：

￥0.697493

库存： 0

货期：7~10 天

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NST65010MW6T1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 65V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 220 2mA，5V
功率 - 最大值: 380mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
温度: -55°C # 150°C（TJ）